要確定應(yīng)該使用什么材料制造屏蔽體，需要知道材料的屏蔽效能和材料的什么參數(shù)有關(guān)。根據(jù)屏蔽的機理可以將屏蔽分為三大類：電場屏蔽、磁場屏蔽和電磁場屏蔽。

電場屏蔽是為降低騷擾電場對敏感電路的耦合電壓，在騷擾源和敏感電路之間設(shè)置導(dǎo)電性好的金屬屏蔽體，并將金屬屏蔽體接地。只要設(shè)法使金屬屏蔽體良好接地，就能使騷擾電場對敏感電路的耦合電壓變得很小。電場屏蔽以反射為主，因此屏蔽體的厚度不必過大，可采用薄層屏蔽或者在塑料上鍍一層薄的導(dǎo)電層。

磁場屏蔽有低頻和高頻之分。低頻磁場屏蔽是利用高導(dǎo)磁率的材料構(gòu)成低磁阻通路，使大部分磁場被集中在屏蔽體內(nèi)。因此屏蔽體的導(dǎo)磁率越高，厚度越大，磁阻越小，磁場屏蔽的效果越好。當(dāng)磁場頻率較高時，高導(dǎo)磁材料的導(dǎo)磁率下降，磁損增加，而應(yīng)采用高導(dǎo)電率材料產(chǎn)生的渦流的反向磁場來抵消騷擾磁場來實現(xiàn)屏蔽。用來屏蔽磁場的屏蔽體均不需接地。

電磁場屏蔽一般采用高導(dǎo)電率的材料作屏蔽體，并將屏蔽體接地。它是利用高導(dǎo)電率材料產(chǎn)生的渦流的反向磁場來抵消騷擾磁場，又因屏蔽體接地而實現(xiàn)電場屏蔽。由于隨著頻率的增高，波長變得和屏蔽體上的孔縫尺寸接近，因而電磁場屏蔽的關(guān)鍵除了要采用高導(dǎo)電率材料，還要控制屏蔽體的孔縫泄漏。

屏蔽材料的導(dǎo)電性能和導(dǎo)磁性能分別用相對電導(dǎo)率σr和相對磁導(dǎo)率μr來衡量，表1中列出了常用屏蔽材料的σr及μr值[1]。

由此可見，為了提高屏蔽效能，高導(dǎo)電率材料可采用鋁、銅，或者鋁鍍銅，要求更高時，還可再鍍層銀。高導(dǎo)磁率材料可采用不銹鋼或者鐵，同時可適當(dāng)增加材料的厚度。