日本的科學(xué)家發(fā)現(xiàn)，透過施加電場在磁性記憶儲存材料，可以降低寫入資料時需要施加的磁場。這項發(fā)現(xiàn)，有可能被應(yīng)用在制造超高密度的內(nèi)存上。 　　
    在計算機(jī)及相關(guān)的外圍產(chǎn)品逐漸微小化的趨勢下，作為內(nèi)存儲存的磁性材料 研究，也走向高密度的方向。然而，由于密度的提高，在單位體積/面積上所需要進(jìn)行資料位儲存的磁場，也隨之提高。磁性材料廠 而因為高磁場的產(chǎn)生有技術(shù)上的困難，使得高密度磁性材料的應(yīng)用，面臨了限制與瓶頸。在本期的ScienceExpress中，日本東北大學(xué)大野實驗室(注)的Daichi Chiba，發(fā)表了利用施加電場，可以降低存取資料所需磁場大小的研究結(jié)果。
    Daichi等人的實驗，是先在攙有錳(Mn)金屬而具鐵磁性的砷化銦(InAs) 上，鍍上一薄層絕緣體與金屬電極，然后再通過電極對砷化銦施加電場。他們發(fā)現(xiàn)，當(dāng)施加1.5MV/cm的電場時，所需要改變磁矩極性(進(jìn)行資料寫入)的磁場大小，是未加電場時的五分之一。這個發(fā)現(xiàn)，使得高密度磁性材料的研究，又出現(xiàn)了一線希望。不過，計劃主持人Hideo Ohno表示，由于他們的實驗是在絕對溫度30K的低溫下進(jìn)行，其發(fā)現(xiàn)僅能算是初步證實施加電場的可行性。如果要談到實際應(yīng)用方面，還得以在室溫下進(jìn)行的實驗來驗證。